Ганна Эффект

явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока j в полупроводнике, у которого объемная Вольтамперная характеристика имеет N-образный вид (рис. 1). Эффект был обнаружен впервые американским физиком Дж. Ганном (J. Gunn) в 1963 в двух полупроводниках с электронной проводимостью. Арсениде галлия (GaAs) и фосфиде индия (InP). Генерация происходит, когда постоянное напряжение V, приложенное к полупроводниковому образцу длиной l, таково, что электрическое поле Е в образце, равное Е = ..

ГАНН (Ханн) (Hann) Юлиус (1839-1921) - австрийский метеоролог и климатолог, иностранный член-корреспондент Петербургской АН (1890). Труды по характеристике климатов Земли, горной метеорологии. Объяснил возникновение циклонов, явление фена.. ..

ГАННА ДИОД - полупроводниковый диод, действие которого основано на Ганна эффекте. Применяется преимущественно для усиления и генерирования СВЧ-колебаний.. ..

ГАННИБАЛ (247 до н. Э. - Северная Африка - около 183-181 до н. Э., Либиссо, Вифиния), один из величайших военачальников древности, полководец, стоявший во главе карфагенской армии во время 2-й Пунической войны (218-201 до н. Э.). Сын Гамилькара Барки, видного военного деятеля Карфагена, воспитывался в Испании, где карфагеняне вели непрерывные войны, и еще в детстве дал клятву не прекращать борьбу против Рима ("Ганнибалова клятва"). После смерти Гамилькара служил Под началом его зятя Гасдрубала, ..

ГАННИБАЛ (Hannibal) (247 или 246 - 183 до н. Э.) - карфагенский полководец. Сын Гамилькара Барки. В ходе 2-й Пунической войны (218-201) совершил переход через Альпы, одержал победы у рек Тицин, Треббия (218), у Тразименского оз. (217), при Каннах (216). В 202 при Заме (Сев. Африка) Ганнибал был побежден римлянами.. ..

Генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний ~0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.. ..

Генерация высокочастотных колебаний электрич. Тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой (рис.). Г. Э. Связан с периодич. Появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрич. Поля, к-рая наз. Доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний 0,3-2 ГТц. Используется в генераторах и усилителях СВЧ. Открыт Дж. Ганном в 1963. Вольт-амперная характеристика. Е - электрическое поле, созд..

Возникновение ВЧ колебаний электрич. Тока в ПП образце с N-образной вольтамперной характеристикой (см. Рис.) под действием сильного пост. Электрич. Поля (напряжённостью ~ 105 В/м). Г. Э. Связан с периодич. Появлением в однородном ПП кристалле и перемещением по нему области сильного электрич. Поля - электрич. Домена, наз. Доменом Ганна. Образование электрич. Доменов обусловлено нарастанием к.-л. Неоднородности в распределении электрич. Поля (напр., локальной флуктуации плотности заряда, возникшей..