Полевой Транзистор

Транзистор, в к-ром изменение тока происходит под действием перпендикулярного ему электрич. Поля, создаваемого входным сигналом. Протекание рабочего тока в П. Т. Обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие транзисторы наз. Униполярными (в отличие от биполярных). В П. Т. Движением носителей заряда через канал (область управляемой проводимости) от истока (области, являющейся источником дырок или электронов в зависимости от типа проводимости канала) к стоку (области, собирающей эти заряды из канала) управляет спец. Электрод - затвор (см. Рис.). По физ. Эффектам, лежащим в основе управления носителями заряда, П. Т. Условно делят на 2 группы. С управляющим р - п-переходом или контактом металл - полупроводник и с изолир.

Затвором - со структурой типа МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). П. Т. Изготовляются, как правило, на основе кремния или арсенида галлия. Они могут иметь высокое входное (до 1000 ТОм) и выходное (до 1 МОм) сопротивления по пост. Току, малую инерционность, высокий частотный предел (св. 40 ГГц). Применяются в усилителях электрич. Колебаний, измерит., счётных и переключающих устройствах и т. Д. П. Т. Со структурой МДП (т. Н. МДП-транзисторы) широко используются также в составе интегральных схем. Др. Назв. П. Т. - канальный. Принципиальная схема включения полевого транзистора. 1 - области объёмного заряда р - п-переходов. 2 - канал. С - сток. 3 - затвор. Uсигн - напряжение сигнала. Rн - нагрузочный резистор. Ез и Ес - постоянные напряжения соответственно в цепях затвора и стока.

Исток полевого транзистора подключён к общей точке О электрических цепей .