Ганна Диод

полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г. Д. Является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. Толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта. Удельное электрическое сопротивление кристалла — от -Ганна диод 0,001 до Ганна диод0,01 ом- м. Эффект Ганна в нём возникает при достижении «критической» напряжённости поля (в арсениде галлия около 300 кв/м). Для создания промышленных Г. Д. Использу..

ГАНН (Gunn) Джон (р. 1928) - физик. Родился в Каире, с 1959 работает в США. Труды по физике полупроводников, полупроводниковым приборам, автоматике. Открыл и исследовал эффект, названный его именем.. ..

ГАНН (Ханн) (Hann) Юлиус (1839-1921) - австрийский метеоролог и климатолог, иностранный член-корреспондент Петербургской АН (1890). Труды по характеристике климатов Земли, горной метеорологии. Объяснил возникновение циклонов, явление фена.. ..

ГАННА эффект - генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффект связан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний ~0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.. ..

ГАННИБАЛ (247 до н. Э. - Северная Африка - около 183-181 до н. Э., Либиссо, Вифиния), один из величайших военачальников древности, полководец, стоявший во главе карфагенской армии во время 2-й Пунической войны (218-201 до н. Э.). Сын Гамилькара Барки, видного военного деятеля Карфагена, воспитывался в Испании, где карфагеняне вели непрерывные войны, и еще в детстве дал клятву не прекращать борьбу против Рима ("Ганнибалова клятва"). После смерти Гамилькара служил Под началом его зятя Гасдрубала, ..

Полупроводниковый диод, действие которого основано на Ганна эффекте. Применяется преимущественно для усиления и генерирования СВЧ-колебаний.. ..

Полупроводн. Диод, действие к-рого основано на Ганна эффекте. Применяется преим. Для усиления и генерирования СВЧ колебаний. ..

[по имени амер. Физика Дж. Б. Ганна (J. В. Gunn. P. 1928)] - полупроводниковый диод, действие к-рого осн. На Гонка эффекте. Предназначен для генерирования и усиления СВЧ колебаний на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Обычно представляет собой ПП слой с вертикальной структурой типа п+ - п - п+ (толщиной от единиц до десятков мкм), заключённый между двумя контактами (катодом и анодом). Изготовляется чаще всего на основе арсенила галия GaAs или фосфида индия InP методом эпитаксиального наращивания. Г. Д...