Индий

In (по синей, цвета индиго. Линии спектра * a. Indium. Н. Indium. Ф. Indium. И. Indio), - хим. Элемент III группы периодич. Системы Менделеева, ат. Н. 49, ат. М. 114,82. Состоит из стабильного изотопа 113In (4,33%) и изотопа со слабой радиоактивностью 115In (95,67%). Открыт нем. Учёными Ф. Райхом и Т. Рихтером в 1863.И. - серебристо-белый мягкий металл. Кристаллич. Структура тетрагональная гранецентрированная с параметрами а=0,4583 нм и с=0,4936 нм. Плотность 7310 кг/м3. И. Легкоплавок, tпл 156,78В°С, tкип 2024В°С. Уд. Теплоёмкость при 0-150В°С 234,461 Дж/кгВ·К, модуль упругости 11 ГПа, тв. По Бринеллю 9 МПа. Степень окисления +3, редко +1 и +2. И. На воздухе при комнатной темп-ре устойчив. Медленно реагирует с HCl, H2SO4 и др., быстрее с HNO3. Со щелочами не взаимодействует.

При комнатной темп-ре реагирует с Сl2 и Вr2, при нагревании - с I2 и О2. И.- типичный рассеянный элемент, кларк его в земной коре 2,5В·* 10-5%. Собственные минералы И. Очень редки (самородный И., гидроксид И. Остальные три - сульфиды) и практич. Значения не имеют. По геохим. Свойствам близок к Fe, Zn и Sn. Гл. Минералы-носители (ср. Содержание И.,%). Сфалерит (0,0049), Халькопирит (0,0012), Касситерит (0,0024), Галенит (0,0004). Концентрируется в высокотемпературных гидротермальных полиметаллич. Рудах, особенно содержащих одновременно цинк (медь) и олово (до 0,1-0,5% в сфалерите, 0,05-0,1% в халькопирите), и в колломорфных SnО2 (до 1%). Обогащение И. Характерно для м-ний Тихоокеанского рудного пояса. Мировые достоверные запасы И.

(без социалистич. Стран) оцениваются в 1590 т, забалансовые запасы составляют ок. 1900 т.Получают И. Попутно при переработке руд цветных металлов. Непосредств. Сырьё - вельц-оксиды цинкового произ-ва, пыли и шлаки свинцового произ-ва, возгоны при рафинировании олова вакуумной плавкой. Так, из вельцоксида И. Выщелачивают раствором H2SO4, затем экстрагируют и выделяют цементацией или электролизом. Применение. Авиац. И автомоб. Пром-сть (антикоррозионные покрытия, подшипниковые смазки, нетускнеющие зеркала и рефлекторы с высоким отражением), полупроводниковая техника, радиотехника и электроника (получение арсенида, антимонида и фосфида И., отличающихся полупроводниковыми свойствами. Добавка к Ge и Si. Изготовление диодов, триодов и выпрямителей), атомная энергетика (индийсодержащие стержни в реакторах), приборостроение (низкотем- пературные припойные сплавы и др.), хим.

Машиностроение (сплавы, стойкие к щелочной коррозии), стекольная пром-сть и др. Мировое годовое произ-во рафинир. И. (без социалистич. Стран) 40-50 т. Осн. Производящие страны - США, Канада, Япония, Перу. См. Также Рассеянных элементов руды.В. В. Иванов..