Транзистор
(от англ. Transfer — переносить и resistor — сопротивление) электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). Т. Составляют два основных крупных класса. Униполярные Т. И биполярные Т. В униполярных Т. Протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака — электронами или дырками (см. Полупроводники). Подробно об униполярных Т. См. В ст. Полевой транзистор. В биполярных Т. (которые обычно называют просто Т.) ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Такой Т. Представляет собой (рис.
1) монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой с помощью особых технологических приёмов созданы 3 области с разной проводимостью. Дырочной (p) и электронной (n). В зависимости от порядка их чередования различают Т. P—n—p-типа и n—p—n-типа. Средняя область (её обычно делают очень тонкой) — порядка нескольких мкм, называется базой, две другие — эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора электронно-дырочными переходами (См. Электронно-дырочный переход) (р—n-переходами). Эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП). От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы. Рассмотрим физические процессы, происходящие в Т., на примере Т. N—p—n-типа (рис. 1, а). К ЭП прикладывают напряжение Uбэ, которое понижает потенциальный барьер перехода и тем самым уменьшает его сопротивление электрическому току (то есть ЭП включают в направлении пропускания электрического тока, или в прямом направлении), а к КП — напряжение Ukб, повышающее потенциальный барьер перехода и увеличивающее его сопротивление (КП включают в направлении запирания или в обратном направлении).
Под действием напряжения Uбэ через ЭП течёт ток iэ, который обусловлен главным образом перемещением (инжекцией) электронов из эмиттера в базу. Проникая сквозь базу в область КП, электроны захватываются его полем и втягиваются в коллектор. При этом через КП течёт коллекторный ток ik. Однако не все инжектированные электроны достигают КП. Часть их по пути рекомбинирует с основными носителями в базе — дырками (число рекомбинировавших электронов тем меньше, чем меньше толщина базы и концентрация дырок в ней). Так как в установившемся режиме количество дырок в базе постоянно, то это означает, что часть электронов уходит из базы в цепь ЭП, образуя ток базы iб таким образом, iэ = ik + iб. Обычно iб.
Дополнительный поиск Транзистор 
На нашем сайте Вы найдете значение "Транзистор" в словаре Большая Советская энциклопедия, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Транзистор, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "Т". Общая длина 10 символа
