Полупроводниковый Диод

Электронные приборы, действие к-рых осн. На электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. Д.) электрич. Колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (светоизлучающий диод, оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), восприятия и преобразования изображений ..

Двухэлектродный полупроводниковый прибор для регистрации и измерения энергии ионизирующих излучений. Обычно содержит р - n-переход, выполняется на основе кристаллов кремния, германия и др. При подаче на П. Д. Отрицат. (запирающего) напряжения (10 - 100 В) область пространств, заряда вблизи границы р - n-перехода "обедняется" носителями заряда. Регистрируемая частица, попадая в обедненный слой, образует неравновесные электронно-дырочные пары, к-рые под действием электрич. Поля разделяются. При эт..

Лазер, в к-ром активной средой служат полупроводники (арсенид галлия GaAs, сульфид кадмия CdS, сульфид свинца PbS и др.) или их сплавы [(Ga, Al)As, GaAs - InP и др.]. Преобразование приложенной электрич. Энергии в лазерное излучение в П. Л. Происходит за счёт вынужденных процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда. По способу возбуждения (накачки) активной среды П. Л. Делятся на 3 осн. Класса. Инжекционные лазеры, в к-рых создание неравновесн. Носителей заряда осуществляется в результа..

Сталь, получ. При раскислении (в печи, ковше или изложнице)жидкого металла, менее полном, чем при выплавке спокойной стали, но большем, чем при производстве кипящей стали. П. С. Затвердевает без кипения, но с выделением газов. В слитке П. С. Содержится меньше пузырей, чем в слитке кипящей стали, а усадочная раковина меньше, чем в слитке спокойной стали. П. С. По качеству занимает среднее место между кипящей и спокойной сталью, частично заменяя последнюю (гл. Обр. В виде конструкц. Стали). П. С. ..