Полупроводниковый Лазер

62

Лазер, в к-ром активной средой служат полупроводники (арсенид галлия GaAs, сульфид кадмия CdS, сульфид свинца PbS и др.) или их сплавы [(Ga, Al)As, GaAs - InP и др.]. Преобразование приложенной электрич. Энергии в лазерное излучение в П. Л. Происходит за счёт вынужденных процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда. По способу возбуждения (накачки) активной среды П. Л. Делятся на 3 осн. Класса. Инжекционные лазеры, в к-рых создание неравновесн. Носителей заряда осуществляется в результате протекания инжекционного тока в ПП структуре с р - n-переходом. П. Л. С электронным возбуждением, в к-рых неравновесн. Носители создаются при накачке ПП потоком ускоренных электронов. П. Л. С оптическим возбуждением, в к-рых накачка производится оптич.

Излучением (в частности, лазерным). У наиболее обширного класса П. Л. - инжекционных лазеров - диапазон рабочих длин волн 0,7 - 30 мкм, мощность излучения 3 - 500 мВт в непрерывном режиме и 5 - 30 Вт - в импульсном, кпд до 30% . Осн. Применения. Волоконно-оптич. Линии связи, системы оптич. Записи и считывания информации, устройства дальнометрии, системы телеуправления, наведения, подсветки и др.

Значения в других словарях
Полупроводниковый Детектор

Двухэлектродный полупроводниковый прибор для регистрации и измерения энергии ионизирующих излучений. Обычно содержит р - n-переход, выполняется на основе кристаллов кремния, германия и др. При подаче на П. Д. Отрицат. (запирающего) напряжения (10 - 100 В) область пространств, заряда вблизи границы р - n-перехода "обедняется" носителями заряда. Регистрируемая частица, попадая в обедненный слой, образует неравновесные электронно-дырочные пары, к-рые под действием электрич. Поля разделяются. При эт..

Полупроводниковый Диод

Двухэлектродный полупроводниковый прибор (на основе кремния, арсенида галлия, германия и др.), действие к-рого обусловлено св-вами р - п-перехода (наиболее обширный класс П. Д.), контакта металл - полупроводник либо объёмными эффектами в однородном ПП (напр., Ганка диод). По конструктивно-технологич. Особенностям различают плоскостные П. Д., изготовленные методами диффузии и вплавления примесей, ионной имплантации, эпитаксиального наращивания, вакуумного напыления и др., и точечные П. Д., получа..

Полуспокойная Сталь

Сталь, получ. При раскислении (в печи, ковше или изложнице)жидкого металла, менее полном, чем при выплавке спокойной стали, но большем, чем при производстве кипящей стали. П. С. Затвердевает без кипения, но с выделением газов. В слитке П. С. Содержится меньше пузырей, чем в слитке кипящей стали, а усадочная раковина меньше, чем в слитке спокойной стали. П. С. По качеству занимает среднее место между кипящей и спокойной сталью, частично заменяя последнюю (гл. Обр. В виде конструкц. Стали). П. С. ..

Полуфабрикат

Продукт труда, прошедший одну или неск. Стадий обработки и предназнач. Для дальнейшей обработки и изготовления из него готовой продукции. П. Одного пр-тия может быть готовой продукцией для другого, например ткань, выпускаемая в продажу, - готовый продукт. Но та же ткань - П. Для швейных фабрик и ателье. Внутри отд. Пр-тия к П. Относят все продукты труда, к-рым предстоит пройти дальнейшие производств. Процессы. ..

Дополнительный поиск Полупроводниковый Лазер Полупроводниковый Лазер

Добавить комментарий
Комментарии
Комментариев пока нет

На нашем сайте Вы найдете значение "Полупроводниковый Лазер" в словаре Большой энциклопедический политехнический словарь, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Полупроводниковый Лазер, различные варианты толкований, скрытый смысл.

Первая буква "П". Общая длина 23 символа