Тиристор
(от греч. Thýra — дверь, вход и англ. Resistor — Резистор полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника (См. Полупроводники) с четырёхслойной структурой р—n—p—n-типа, обладающий свойствами вентиля электрического (См. Вентиль электрический) и имеющий нелинейную разрывную вольтамперную характеристику (ВАХ). С крайними слоями (областями) монокристалла контактируют силовые электроды (СЭ) — анод и катод, от одного из промежуточных слоев делают вывод электрода управления (УЭ). К СЭ подсоединяют токоподводы силовой цепи и устройства теплоотвода. В случае, когда к СЭ прикладывается напряжение прямой полярности Unp (как указано на рис. 1), первый (П1) и третий (П3) электронно-дырочные переходы (См.
Электронно-дырочный переход) смещаются в прямом направлении, а второй (П2) — в обратном. Через переходы П1 и П3 в области, примыкающие к переходу П2, инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода П2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через Т. Сначала растет медленно, что соответствует участку ОА на ВАХ (рис. 2). В этом режиме Т. Можно считать запертым, так как сопротивление перехода П2 всё ещё очень велико (при этом напряжения на переходах П1 и П3 малы, и почти всё приложенное напряжение падает на переходе П2). По мере увеличения напряжения на Т. Снижается доля напряжения, падающего на П2, и быстрее возрастают напряжения на П1 и П2, что вызывает дальнейшее увеличение тока через Т.
И усиление инжекции неосновных носителей в область П3. При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен в), называется напряжением переключения Uпер (точка А на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер, Т. Переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи (точка В на ВАХ). Процесс скачкообразного переключения Т. Из состояния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью можно объяснить, рассматривая Т. Как комбинацию двух Транзисторов (T1 и Т2), включенных навстречу друг другу (рис. 3). Крайние области монокристалла являются эмиттерами (р-слой называется анодным эмиттером, n-слой — катодным), а средние — коллектором одного и одновременно базой др.
Транзистора. Ток i, протекающий во внешней цепи Т., является током первого эмиттера iэ1 и током второго эмиттера iэ2. Вместе с тем этот ток складывается из двух коллекторных токов iк1 и iк2, равных соответственно α1iэ1 и α2iэ2, где «α1 и α2 — коэффициенты передачи эмиттерного тока транзисторов T1 и Т2. Кроме того, в его состав входит ток коллекторного перехода iкo (так называемый обратный ток). Таким образом i = α1iэ1 + α2iэ2 + iкo. С учётом iэ1 = iэ2 = i имеем .
Дополнительный поиск Тиристор 
На нашем сайте Вы найдете значение "Тиристор" в словаре Большая Советская энциклопедия, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Тиристор, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "Т". Общая длина 8 символа
