Фотодиод
Полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости (См. Фотопроводимость) при воздействии на него оптического излучения. Ф. Представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход) (р–n-переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др. Различают 2 режима работы Ф. Фотодиодный, когда во внешней цепи Ф. Содержится источник постоянного тока, создающий на р–n-переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и Фоторезистор, используют для управления электрическим током в цепи Ф.
В соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р–n-переход и ослабляют электрическое поле последнего. Фототок в Ф. В широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый Фотоэлемент, используют в качестве генератора Фотоэдс. Основные параметры Ф. 1) порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот), достигает 10-14 вт/гц1/2. 2) уровень шумов – не свыше 10-9 а. 3) область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3–15 мкм. 4) спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматического излучения с известной длиной волны) составляет 0,5–1 а/вт.
5) инерционность (время установления фототока) порядка 10-7–10-8 сек. В лавинном Ф., представляющем собой разновидность Ф. С р–n-cтруктурой, для увеличения чувствительности используют т. Н. Лавинное умножение тока в р–n-переходе, основанное на ударной ионизации (См. Ионизация) атомов в области перехода фотоэлектронами. При этом коэффициент лавинного умножения составляет 102–104. Существуют также Ф. С р–i–n-cтруктурой, близкие по своим характеристикам к Ф. С р–n-cтруктурой. По сравнению с последними они обладают значительно меньшей инерционностью (до 10-10 сек). Ф. Находят применение в устройствах автоматики, лазерной техники, вычислительной техники, измерительной техники и т.п. Лит. Тришенков М. А., Фример А. И., Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с р–n-переходами, в сборнике.
Полупроводниковые приборы и их применение, М., 1971. Рябов С. Г., Торопкин Г. Н., Усольцев И. Ф., Приборы квантовой электроники, М., 1976. И. Ф. Усольцев. Структурная схема фотодиода и схема его включения при работе в фотодиодном режиме. 1 — кристалл полупроводника. 2 — контакты. 3 — выводы. Ф — поток электромагнитного излучения. П и р — области полупроводника соответственно с донорной и акцепторной примесями. Е — источник постоянного тока. Rн — нагрузка..
Дополнительный поиск Фотодиод 
На нашем сайте Вы найдете значение "Фотодиод" в словаре Большая Советская энциклопедия, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Фотодиод, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "Ф". Общая длина 8 символа
