Шотки диод
Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник. Назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938—39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. Д. На очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления (См. Катодное распыление) либо химического или электролитического осаждения. В Ш. Д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход) (в области этого перехода), возникает Потенциальный барьер (см. Также Шотки барьер), изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см.
Рис. 2). Ток через контакт металл — полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда. Отличительные особенности Ш. Д. По сравнению с полупроводниковыми диодами др. Типов. Возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла. Значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях. Очень малая инерционность (до 10―11 сек). Низкий уровень ВЧ шумов. Технологическая совместимость с интегральными схемами (См. Интегральная схема). Простота изготовления. Ш. Д. Служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными).
Кроме того, Ш. Д. Применяют в качестве приёмников излучения (См. Приёмники излучения), детекторов ядерного излучения (См. Детекторы ядерных излучений), Тензодатчиков, модуляторов света. Их используют также в выпрямителях тока (См. Выпрямитель тока) ВЧ, солнечных батареях (См. Солнечная батарея) и т.д. Лит. См. При ст. Полупроводниковый диод. Ю. Р. Носов. Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом. U — напряжение на диоде. I — ток через диод. U*oбр и I*oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток. Ucт — напряжение стабилизации. Структура детекторного Шотки диода. 1 — полупроводниковая подложка. 2 — эпитаксиальная плёнка. 3 — контакт металл — полупроводник. 4 — металлическая плёнка.
5 — внешний контакт..
Дополнительный поиск Шотки диод 
На нашем сайте Вы найдете значение "Шотки диод" в словаре Большая Советская энциклопедия, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Шотки диод, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "Ш". Общая длина 10 символа
