Параметрический полупроводниковый диод
полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкости р-n-перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях (См. Параметрический усилитель) П. П. Д. Используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954). На П. П. Д. Подаётся постоянное обратное смещение (обычно — 0,3—2,0 в) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц) сигнала — от генератора накачки и усиливаемый. П. П. Д. Отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры.
Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. П. Д. В рабочей точке C0 и постоянную времени диода τs = rs • C0, где rs — суммарное сопротивление объёма П. П. Д., примыкающего к р-n-переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения Uдоп на диоде. П. П. Д. Изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров П. П. Д., выпускаемых в СССР и за рубежом. C0=0,01— 2 пф, τs = 0,1—2 nceк, Uдоп = 6—10 в и диапазон рабочих температур 4—350 К. Лит. Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов, М., 1965. СВЧ— полупроводниковые приборы и их применение, пер. С англ., М., 1972. И. Г. Васильев..
Дополнительный поиск Параметрический полупроводниковый диод
На нашем сайте Вы найдете значение "Параметрический полупроводниковый диод" в словаре Большая Советская энциклопедия, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Параметрический полупроводниковый диод, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "П". Общая длина 38 символа