Биполярный Транзистор

- транзистор с тремя чередующимися ПП областями электронного (м) или дырочного (р) типа проводимости, в к-ром протекание рабочего тока обусловлено носителями заряда обоих знаков (электронами и дырками). Различают Б. Т.п - р - п- и р - п - р-типа (см. Рис.). Средняя область Б. Т. (её обычно делают очень тонкой - неск. Мкм и менее) наз. Базой, две другие - эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора р - п-переходами, соответственно эмиттерными коллекторным. Принцип действия Б. Т. Осн. На управлении потоком неосн. Носителей заряда, протекающим через базу. Эмиттерный переход смещён в прямом направлении и обеспечивает инжекцию неосн. Носителей заряда, коллекторный - смещён в обратном направлении и обеспечивает собирание неосн.

Носителей, инжектированных эмиттером. Б. Т. Изготовляют гл. Обр. На основе кремния и германия по планарно-эпитаксиальной технологии (см. Пла-нарная технология). Предназначен для усиления, преобразования и генерирования электрич. Колебаний в широком диапазоне частот (до десятков ГГц). Выходная мощность Б. Т. Обычно до 100 Вт, миним. Уровень шумов - до неск. ДБ. Схема включения биполярного транзистора. Р - область с дырочной проводимостью. П - область с электронной проводимостью. I - сила тока. RH нагрузочный резистор .