Туннельный Диод
Полупроводниковый диод, действие к-рого осн. На туннельном эффекте. Содержит р - n-переход с очень малой толщиной запирающего слоя (обычно 5 - 15 нм). Предложен япон. Физиком Л. Эсаки (L. Esaki) в 1957. Туннельвый механизм переноса электронов в Т. Д. Обусловливает N-образный вид его вольтамперной характеристики, имеющей участок с отрицат. Сопротивлением (см. Рис.). Т. Д. Изготовляют чаще всего на основе германия и арсенида галлия с большой концентрацией примесей (до 1025 - 1027 м-3). Т. Д. Характеризуются широким диапазоном рабочих темп-р (до 200 °С - германиевые. До 600 °С арсенид-галлиевые), высоким быстродействием, но низкой выходной мощностью (единицы мВт). Применяются в усилителях и генераторах электрич. Колебаний СВЧ диапазона (до десятков ГГц), в быстродействующих переключающих устройствах, а также устройствах памяти с двоичным кодом.
Вольтамперная характеристика туннельного диода .
Дополнительный поиск Туннельный Диод
На нашем сайте Вы найдете значение "Туннельный Диод" в словаре Большой энциклопедический политехнический словарь, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Туннельный Диод, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "Т". Общая длина 15 символа