Полупроводниковый Детектор

Полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. Используют гл. Обр. Кристаллич П. М. (напр., легир. Монокристаллы кремния или германия, хим. Соед. Нек-рых элементов III и V, II и VI гр. Периодич. Системы). Всё большее значение приобретают тв. Аморфные полупроводн. В-ва и органич. Полупроводники. ..

Электронные приборы, действие к-рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. Колебаний (полупроводн. Диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрич. Генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрич. И механи..

Полупроводн. Прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К П. Д. Относят обширную группу приборов с р - n -переходом, контактом металл - полупроводник и др. Наиб. Распространены эл.-преобразоват. П. Д. Служат для преобразования и генерирования электрич. Колебаний. Один из осн. Совр. Электронных приборов. ..

Лазер, активная среда к-рого - полупроводн. Кристалл. П. Л. Имеет малые размеры (длина резонатора 50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. П. Л. Генерируют излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиб. Распространённый способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптич. Связи и локации, оптоэлектронике и др. ..