Кристалл
(от греч. Krystallos, первоначально - лёд * a. Crystal. Н. Kristall. Ф. Cristal. И. Cristal) - твёрдое тело co строго закономерным расположением атомов, ионов или молекул в пространстве, образующих трёхмерную периодич. Кристаллич. Решётку. K. - равновесное состояние твёрдых тел. Каждому хим. Соединению, находящемуся в кристаллич. Состоянии при заданных термодинамич. Условиях, соответствует определённая кристаллич. Структура, приводящая к определённой симметрии внеш. Формы и физ. Свойств. Внеш. Форма K. Отражает симметрию внутр. Укладки частиц, поэтому углы между гранями кристалла одного и того же вещества постоянны (закон постоянства углов Стено). K. Отличаются анизотропией свойств и кристаллизуются при благоприятных физ.-хим. Условиях в форме многогранников.
Разл. Сочетания элементов симметрии кристаллич. Многогранников - центра инверсии (1), плоскости симметрии (m), поворотных (2, 3, 4, 6) и инверсионных (4, 6) осей симметрии - обусловливают существование 32 классов симметрии (точечные группы симметрии). Добавление трансляций, плоскости скользящего отражения, винтовых осей симметрии приводит к образованию 230 пространственных (федоровских) групп симметрии. Среди 32 точечных групп выделяют 7 сингоний. Триклинную, моноклинную, ромбическую (низшие сингоний), тетрагональную, гексагональную, тригональную (средние), кубическую (высшая). Минимальный по объёму параллелепипед, отражающий все особенности кристалла, наз. Элементарной ячейкой (рис.). Элементарная ячейка кристаллической решётки.Рёбра элементарной ячейки a, b, c наз.
Периодами кристаллич. Решётки. Размеры рёбер a, b, c и углы между ними α (между b и c), ОІ (a и c), Оі (a и b) - осн. Кристаллографич. Константы. Всякая атомная плоскость в K. Отсекает на осях координат x, y, z целые числа периодов решётки k, m, n, обратные им целые числа h, k, l наз. Индексами кристаллографич. Граней и атомных плоскостей (индексы Миллера).K. Ограничен гранями одной или неск. Простых форм (всего 47 простых форм). Простая форма - совокупность кристаллографически одинаковых граней. B K., элементами симметрии к-рых являются только простые поворотные оси (плоскости, центр инверсии, инверсионные оси отсутствуют), возможно возникновение зеркально равных правой и левой форм (энантиоморфизм).Форма реальных K.
Обычно отличается от идеальной формы (габитуса). Габитус K. Изменяется в зависимости от условий зарождения и роста K. Это используется для получения K. Заданного габитуса, a также выяснения условий генезиса минералов на основе их кристалломорфич. Анализа.Методы структурного анализа (рентгеноструктурный, электронографический, нейтронографический) позволяют определить размеры элементарной ячейки, пространственную группу симметрии, межатомные расстояния, распределение электронной плотности между атомами и др. Электронная микроскопия высокого разрешения, электронная спектроскопия, мёссбауэровская спектроскопия и другие позволяют уточнить структуру реальных кристаллов.Физ. Свойства K. Определяются их составом, геометрией кристаллич.
Структуры и типом хим. Связи в них. Вследствие нарушения равновесных условий роста, захвата примесей и влияния разл. Рода в K. Наблюдаются отклонения от идеальной структуры. Возникновение точечных дефектов (замещения атомов матрицы примесными атомами вакансии, между узлами), дислокации, нарушения порядка упаковки атомных слоев. Дефекты приводят к изменению физ. Свойств K., что используется в технике. Bce реальные K. Состоят из разориентированных на небольшие (в неск. Минут) углы кристаллич. Блоков размером 10-4 см, в каждом из к-рых почти идеальный порядок.Связь симметрии кристаллов, симметрии их физ. Свойств и зависимость последних от симметрии внеш. Воздействий определяются принципами Кюри и Неймана. Свойства кристаллов описываются соответствующими тензорами.
Ha основе элементов симметрии можно предсказать наличие или отсутствие тех или иных свойств K. Так, напр., пьезоэлектрич. Свойства возможны в K. 20 классов без центра симметрии. Mн. Свойства кристаллов (окраска, люминесцентные свойства, прочность, пластичность и др.) существенно зависят от типов и количества дефектов. Пo преобладающему типу хим. Связи выделяют ионные, ковалентные, молекулярные и металлич. K. Природные и синтетич. K. Применяются в оптике (оптич. Элементы), разл. Областях электроники (полупроводниковые приборы и интегральные схемы, квантовые электронные устройства и др.), радиотехники (напр., детекторы), вычислит. Техники, a также в качестве сверхтвёрдых абразивных материалов и опорных элементов сверхточных приборов.
Ювелирная пром-сть использует не только природные, но и синтетич. K.Литература. Най Дж., Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц, пер. C англ., 2 изд., M., 1967. Шубников A. B., Парвов B. Ф., Зарождение и рост кристаллов, M., 1969. Банн Ч., Кристаллы, пер. C англ., M., 1970. Попов Г. M., Шафрановский И. И., Кристаллография, 5 изд., M., 1972.Г. П. Кудрявцева..
Дополнительный поиск Кристалл
На нашем сайте Вы найдете значение "Кристалл" в словаре Геологическая энциклопедия, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Кристалл, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "К". Общая длина 8 символа