Кремния Оксид

SiO, устойчив в газообразном состоянии (SiOr) выше 1000°С. Для газа. C0p 29,901 Дж/(моль К), DH0 обр - 100,000 кДж/моль, S0296211,489 Дж/(моль . К). При быстром охлаждении SiO конденсируется в аморфный продукт SiOx-1, (плота. 2,15 г/см 3) светло-коричневого цвета, реиспаряющийся в вакууме с послед. Конденсацией аморфного SiOx (0<х[1), св-ва к-рого определяются условиями реиспарения. При старении и отжигах SiOx распадается на кластеры из Si и SiO2, содержащие До 1020 см -3 парамагнитных центров. К. О. Не имеет определенных т-р плавления и кипения, DH0 исп 240-380 кДж/моль. Оптич. Св-ва SiOx зависят от скорости конденсации, остаточного давления О 2 и др. Факторов. Коэф. Поглощения 0,02 (l=700 нм)-0,20 (l=400 нм). Показатель преломления в видимой области 1,5-3,8.

Структура SiOx удовлетворительно описывается моделью случайного распределения тетраэдров Si-SiyO4-y (у=1,2,3), статистич. Веса к-рых зависят от величины х. При нагр. На воздухе К. О. Частично окисляется. При 500 °С взаимод. С парами воды и СО 2, выделяя соотв. Н 2 и СО. При 800 °С реагирует с Сl2, давая SiCl4. К. О. Образуется при восстановлении SiO2 кремнием. С, Н 2, углеводородами, окислении Si при недостатке О 2, диссоциации SiO2 выше 1800°С. Газообразный К. О. Обнаружен в газопылевых облаках межзвездных сред, на солнечных пятнах, в разреженных пламенах моносилана с О 2, в продуктах взаимод. Паров Si с N2O. К. О.-материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптич. Слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике.

Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением Si в плазме О 2. Образующийся при термич. Окислении Si слой (между Si и пленкой SiO2) состава SiOx (0[х[2) толщиной до 1 нм определяет электрофиз. Параметры структур SiO2-Si. Лит. Гельд П. В., Есин О. А., Процессы высокотемпературного восстановления. Свердловск. 1957. Sosman R. В., The phases of silica. New Brunswick, 1965, p. 7-10. Rockow E.G., The chemistry of silicon, Oxf.-[a.o.], 1975 (Pergamon texts hi inorganic chemistry, v. 9). Finster J, Schulze D, Meisel A, "Surface Science", 1985, v. 162, p. 671-79. В. И. Белый..