Ионное Легирование
Ионное внедрение, - введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела (мишени) путём бомбардировки его поверхности ионами. Ср. Глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем выше энергия ионов (ионы с энергиями 10 - 100 кэВ проникают на 0,01 - 1 мкм). И. Л. Наиболее широко используется при введении примесей в ПП монокристаллы для создания требуемой примесной электрич. Проводимости. И. Л. Позволяет создать в ПП кристалле электронно-дырочный переход (см. Р - п-переход) на малой глубине, что увеличивает, напр., предельную частоту транзисторов. См. Рис. Установка для ионного легирования. 1 - нить накала. 2 - подача ионизируемого вещества. 3 - анод. 4 - магниты. 5 - ускоритель ионов. 6 - система электростатического отклонения. 7 - мишень .
Дополнительный поиск Ионное Легирование
На нашем сайте Вы найдете значение "Ионное Легирование" в словаре Большой энциклопедический политехнический словарь, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Ионное Легирование, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "И". Общая длина 18 символа