Ионные Приборы

Ионное внедрение, - введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела (мишени) путём бомбардировки его поверхности ионами. Ср. Глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем выше энергия ионов (ионы с энергиями 10 - 100 кэВ проникают на 0,01 - 1 мкм). И. Л. Наиболее широко используется при введении примесей в ПП монокристаллы для создания требуемой примесной электрич. Проводимости. И. Л. Позволяет создать в ПП кристалле электронно-дырочный переход (см. Р - п-переход) на малой глубине, что у..

Участок поверхности экрана, мишени или фотокатода электронно-лучевого прибора, изменивший свои св-ва в результате ионной бомбардировки. Внешне проявляется, напр., в виде тёмной области в средней части люминесцентного экрана нек-рых типов ЭЛП с электромагн. Отклонением. Чтобы предотвратить появление И. П., применяют, напр., алюминиров. Экраны. ..

См. Твёрдые электролиты. ..

Ионно-оптич. Прибор для получения увеличенного изображения с помощью ионных пучков. По принципу действия аналогичен электронному микроскопу. В И. М. Поток ионов, создаваемый термоионным или газоразрядным источником, проходя через исследуемый объект и испытывая в разл. Его участках рассеяние и поглощение, фокусируется системой электростатич. Илимагн. Ливз и создаёт на экране или фотослое увелич. Изображение объекта. По сравнению с электронным микроскопом И. М. Имеет более высокие разрешающую спос..