Полупроводниковый Лазер
Лазер, в к-ром активной средой служат полупроводники (арсенид галлия GaAs, сульфид кадмия CdS, сульфид свинца PbS и др.) или их сплавы [(Ga, Al)As, GaAs - InP и др.]. Преобразование приложенной электрич. Энергии в лазерное излучение в П. Л. Происходит за счёт вынужденных процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда. По способу возбуждения (накачки) активной среды П. Л. Делятся на 3 осн. Класса. Инжекционные лазеры, в к-рых создание неравновесн. Носителей заряда осуществляется в результате протекания инжекционного тока в ПП структуре с р - n-переходом. П. Л. С электронным возбуждением, в к-рых неравновесн. Носители создаются при накачке ПП потоком ускоренных электронов. П. Л. С оптическим возбуждением, в к-рых накачка производится оптич.
Излучением (в частности, лазерным). У наиболее обширного класса П. Л. - инжекционных лазеров - диапазон рабочих длин волн 0,7 - 30 мкм, мощность излучения 3 - 500 мВт в непрерывном режиме и 5 - 30 Вт - в импульсном, кпд до 30% . Осн. Применения. Волоконно-оптич. Линии связи, системы оптич. Записи и считывания информации, устройства дальнометрии, системы телеуправления, наведения, подсветки и др.
Дополнительный поиск Полупроводниковый Лазер
На нашем сайте Вы найдете значение "Полупроводниковый Лазер" в словаре Большой энциклопедический политехнический словарь, подробное описание, примеры использования, словосочетания с выражением Полупроводниковый Лазер, различные варианты толкований, скрытый смысл.
Первая буква "П". Общая длина 23 символа