Полупроводниковый Детектор

Отрасль электроники, охватывающая вопросы исследования электронных процессов в ПП и их практического использования, гл. Обр. Для генерирования, усиления и преобразования электрических . ..

Электронные приборы, действие к-рых осн. На электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. Д.) электрич. Колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (светоизлучающий диод, оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), восприятия и преобразования изображений ..

Двухэлектродный полупроводниковый прибор (на основе кремния, арсенида галлия, германия и др.), действие к-рого обусловлено св-вами р - п-перехода (наиболее обширный класс П. Д.), контакта металл - полупроводник либо объёмными эффектами в однородном ПП (напр., Ганка диод). По конструктивно-технологич. Особенностям различают плоскостные П. Д., изготовленные методами диффузии и вплавления примесей, ионной имплантации, эпитаксиального наращивания, вакуумного напыления и др., и точечные П. Д., получа..

Лазер, в к-ром активной средой служат полупроводники (арсенид галлия GaAs, сульфид кадмия CdS, сульфид свинца PbS и др.) или их сплавы [(Ga, Al)As, GaAs - InP и др.]. Преобразование приложенной электрич. Энергии в лазерное излучение в П. Л. Происходит за счёт вынужденных процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда. По способу возбуждения (накачки) активной среды П. Л. Делятся на 3 осн. Класса. Инжекционные лазеры, в к-рых создание неравновесн. Носителей заряда осуществляется в результа..