Рентгенография

совокупность методов исследования строения кристаллич. И аморфных в-в, основанных на изучении дифракции рентгеновских лучей. В Р. Используют в осн. Характеристич. Рентгеновское излучение (см. Рентгеновская спектроскопия);дифракц. Картины регистрируют либо фотометодом, т. Е. На рентгеновской пленке (рентгенограммы), или дифрактометрич. Методом-с Помощью счетчиков ионизирующего излучения (дифрактограммы). Рентгенографич. Методы позволяют прецизионно измерять параметры кристаллич. Решетки (см. Рентгеновский структурный анализ),исследовать процессы образования и распада твердых р-ров, устанавливать их тип и концентрацию, определять величины макронапряжений в изделиях, коэф. Теплового расширения и их анизотропию, изучать процессы диффузии, исследовать фазовые диаграммы, определять в них границы р-римости фаз (см.

Рентгеновский фазовый анализ). В поликристаллич. Образцах методами Р. Устанавливают размеры кристаллич. Блоков, к-рые могут существенно влиять на разл. Св-ва материалов (напр., мех., магн., катали-тич.). Размеры кристаллич. Блоков более 0,1 мкм определяют по числу точечных дифракц. Рефлексов на рентгенограмме, размеры блоков 0,1-1 мкм-по анализу интегральной интенсивности дифракц. Пиков. Блоки размером менее 0,1 мкм вызывают уширение дифракц. Пиков. Их размеры определяют по полуширине профиля интенсивности дифракц. Пика, или методом фурье-анализа распределения интенсивности в дифракц. Пиках. Последний метод позволяет точнее определять также значения неориентир. Микродеформаций и концентраций деформац. И двойниковых ошибок в периодичности расположения атомных слоев кристаллич.

Решетки. Анализ дифракц. Картин дает сведения о процессах упорядочения в твердых р-рах, позволяет оценить силы межатомного взаимодействия. Условия получения и обработки поликристаллич. Материалов часто обусловливают образование в них кристалло-графич. Текстуры, т. Е. Преимуществ. Ориентации в кристаллах кристаллографич. Направлений и, следовательно, анизотропии св-в. Получение дифракц. Картин от текстурир. Образца при разл. Углах его поворота и наклона по отношению к рентгеновскому лучу дает возможность построить т. Наз. Полюсную фигуру. Последняя позволяет установить распределение кристаллографич. Направлений, определенным образом ориентированных (в т. Ч. Параллельно) относительно оси ориентировки-характерного для данного объекта направления.

Дефекты в кристаллич. Решетках кристаллич. Материалов (дислокации, ошибки упаковки и др.) изучают с помощью рентгеновской топографии, основанной на том, что дефектные и бездефектные области кристалла по-разному рассеивают рентгеновские лучи. Анализ углового распределения интенсивности диффузного рассеяния рентгеновских лучей, обусловленного наличием ближнего порядка в расположении рассеивающих частиц, позволяет определять параметры ближнего порядка твердых р-ров, дает сведения о внутри- и межмол. Строении аморфных в-в. Апериодич. Флуктуация электронной плотности в материалах (напр., при наличии микропор в твердом теле) приводит к диффузному рассеянию рентгеновских лучей вблизи первичного луча. Анализ этого т.

Наз. Малоуглового рассеяния позволяет определить размеры и форму пор, размеры дисперсных частиц, исследовать процессы старения твердых р-ров и т. П. Рентгенографич. Методами исследуют образцы при их нагревании и охлаждении, в условиях вакуума и высокого давления и т. Д. Лит. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия, М., 1982. В. Д. Крылов.