Ртути Халькогениды

соед. Hg с S, Se, Те общей ф-лы HgX (табл. 1). Сульфид HgS существует в двух модификациях-a (киноварь) и b (метациннабарит). Т-ра перехода ab 345 °С, АН перехода 14,6 кДж/моль. B-HgS, HgSe, HgTe кристаллизуются в решетке типа сфалерита, при давлении 1,5-2,0 ГПа HgSe и HgTe имеют кристаллич. Решетку типа a-HgS. Р. Х.-нестехиометрич. Соединения. Область гомогенности HgSe 49,99-50,00 ат.% Hg при 280 °С (по др. Данным наблюдается отклонение от стехиометрии в сторону большего содержания Hg). Область гомогенности HgTe 49,40-49,95 ат.% Hg при 400 °С, 49,40-50,009 ат.% Hg при 353 °С. Для Р. Х. Преобладающие типы дефектов - вакансии Hg, халькогенов, атомы Hg в межузельном пространстве. Теллурид-полупроводник р- и n-типа, HgSe, HgS-n-типа.

Р. Х. Обладают уникальными физ. Св-вами. HgTe имеет практически нулевую запрещенную зону (величина перекрывания валентной зоны и зоны проводимости 0,001 эВ, для HgSe эта величина 0,07 эВ). Для a-HgS ширина запрещенной зоны 2,0 эВ. Р. Х. Практически не раств. В воде, орг. Р-рителях, разб. К-тах, разлагаются царской водкой. HgS реагирует с конц. Р-рами сульфидов щелочных металлов с образованием тиосолей М 2HgS2, что используют для извлечения Hg из сульфидных руд. При натр. В вакууме Р. Х. Легко испаряются, диссоциируя на Hg и X, доля молекул HgX в паре ок. 1.