Полупроводниковая Электроника

Вещества, к-рые обладают электронной проводимостью, причём по уд. Электрич. Проводимости а занимают промежуточное положение между хорошими проводниками (металлами) и изоляторами (диэлектриками). Гл. Особенность П. - резкое возрастание их уд. Электрич. Проводимости с увеличением темп-ры. Для разных П. Значения о при комнатной темп-ре заключены в пределах от 10-6 до 104 См/м. П. Могут быть кристаллич., а также аморфные и жидкие в-ва. К П. Относятся нек-рые элементы (кремний, германий, селен, теллу..

Интегральная схема, в к-рой все элементы (транзисторы, резисторы, конденсаторы и др.), а также межэлементные соединения выполнены в объёме и на поверхности монокристаллич. ПП пластины (преим. Из кремния) одновременно в одном технологич. Цикле. П. И. С. Изготовляют, как правило, методами планарной технологии с использованием эпитаксии, диффузии, ионного легирования, фотолитографии, нанесения тонких металлич. Плёнок и т. Д., что обеспечивает достаточно высокую плотность их упаковки. Осн. Недостатк..

Электронные приборы, действие к-рых осн. На электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. Д.) электрич. Колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (светоизлучающий диод, оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), восприятия и преобразования изображений ..

Двухэлектродный полупроводниковый прибор для регистрации и измерения энергии ионизирующих излучений. Обычно содержит р - n-переход, выполняется на основе кристаллов кремния, германия и др. При подаче на П. Д. Отрицат. (запирающего) напряжения (10 - 100 В) область пространств, заряда вблизи границы р - n-перехода "обедняется" носителями заряда. Регистрируемая частица, попадая в обедненный слой, образует неравновесные электронно-дырочные пары, к-рые под действием электрич. Поля разделяются. При эт..