Полупроводниковые Приборы

Интегральная схема, в к-рой все элементы (транзисторы, резисторы, конденсаторы и др.), а также межэлементные соединения выполнены в объёме и на поверхности монокристаллич. ПП пластины (преим. Из кремния) одновременно в одном технологич. Цикле. П. И. С. Изготовляют, как правило, методами планарной технологии с использованием эпитаксии, диффузии, ионного легирования, фотолитографии, нанесения тонких металлич. Плёнок и т. Д., что обеспечивает достаточно высокую плотность их упаковки. Осн. Недостатк..

Отрасль электроники, охватывающая вопросы исследования электронных процессов в ПП и их практического использования, гл. Обр. Для генерирования, усиления и преобразования электрических . ..

Двухэлектродный полупроводниковый прибор для регистрации и измерения энергии ионизирующих излучений. Обычно содержит р - n-переход, выполняется на основе кристаллов кремния, германия и др. При подаче на П. Д. Отрицат. (запирающего) напряжения (10 - 100 В) область пространств, заряда вблизи границы р - n-перехода "обедняется" носителями заряда. Регистрируемая частица, попадая в обедненный слой, образует неравновесные электронно-дырочные пары, к-рые под действием электрич. Поля разделяются. При эт..

Двухэлектродный полупроводниковый прибор (на основе кремния, арсенида галлия, германия и др.), действие к-рого обусловлено св-вами р - п-перехода (наиболее обширный класс П. Д.), контакта металл - полупроводник либо объёмными эффектами в однородном ПП (напр., Ганка диод). По конструктивно-технологич. Особенностям различают плоскостные П. Д., изготовленные методами диффузии и вплавления примесей, ионной имплантации, эпитаксиального наращивания, вакуумного напыления и др., и точечные П. Д., получа..