Индия Антимонид

InSb, серые кристаллы с металлич. Блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,647877 нм, z= 4, пространств. Группа F43m). Т. Пл. 525,2 °С. Плотн. 5,775 г/см 3, жидкого - 6,430 г/см 3 (550 °С). С 0p49,56 Дж/(моль. К). DH0 пл 65,35 кДж/моль, DH0 обр - 30,66 кДж/моль. S0298 87,44 Дж/(моль. К). Температурный коэф. Линейного расширения 4,7.10-6 К -1. Теплопроводность 30-40 Вт/(м. К) при 200 К. Полупроводник. E 17,7 (- 196°C). Ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К). Эффективная масса электронов проводимости т е =>0,013m0, дырок т р =>0,42m0 (m0 - масса своб. Электрона). При 77 К подвижность электронов 1,1.106 см 2/(В. С), дырок 9,1.103 см 2/(В. С). И. А. Устойчив на воздухе и в парах воды при т-рах до ~ 300 °С.

Взаимод. С конц. HNO3 и смесями HNO3 и фтористоводородной к-ты, HNO3 и соляной к-ты, HNO3, винной и молочной к-т, Н 2 О 2 и винной к-ты, Н 2 О 2 и фтористоводородной к-ты. Для травления пов-сти кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиб. Часто используют смесь состава 5HNO3 . 3СН 3 СООН . 3HF. Получают И. А. Сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н 2. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) или Н 2 либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают. Осаждением из р-ра InSb в расплаве In при 350-450 °С. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. Пучков In и Sb в вакууме 10-9 Па с послед.

Осаждением на нагретую до 400-500°С подложку). Методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10-4 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). И. А. - полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. Мощности. Лит. Полупроводниковые соединения AIIIBV, под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга, пер. С англ., М., 1967, с. 327-42, 476-83. Горелик С. С., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973. Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987 М. Г. Мильвидский. .