Индия Галогениды

InSb, серые кристаллы с металлич. Блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,647877 нм, z= 4, пространств. Группа F43m). Т. Пл. 525,2 °С. Плотн. 5,775 г/см 3, жидкого - 6,430 г/см 3 (550 °С). С 0p49,56 Дж/(моль. К). DH0 пл 65,35 кДж/моль, DH0 обр - 30,66 кДж/моль. S0298 87,44 Дж/(моль. К). Температурный коэф. Линейного расширения 4,7.10-6 К -1. Теплопроводность 30-40 Вт/(м. К) при 200 К. Полупроводник. E 17,7 (- 196°C). Ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К)..

InAs, серые кристаллы с металлич. Блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,605886 нм, z =4, пространств. Группа F43m). Т. Пл. 943 °С. Плотн. 5,666 г/см 3, жидкого 5,850 г/см 3 (970 °С). С 0p49,32 Дж/(моль. К). DH0 пл 77,2 кДж/моль, DH0 обр -57,9 кДж/молъ. S0298 76 Дж/(моль. К). Температурный коэф. Линейного расширения 5,19.10-6 К -1. Теплопроводность 122 Вт/(м. К). Полупроводник. E 11,7. Ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К). Эффективная масса электронов проводи..

Сесквиоксид In2 О 3 - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. Решеткой ( а =1,01194 нм, z= 16, пространств. Группа Ia3). Плотн. 7,18 г/см 3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. Решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении ( а =0,5487 нм, с =1,4510 нм, z= 6, пространств. Группа R3с). Плотн. 7,3 г/см 3. Т. Пл. 1910°С. Выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2. Т. Кип. - 3300 °С. ..

InP, серые кристаллы с металлич. Блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а= 0,586875 нм, z = 4, пространств. Группа F43m). Т. Пл. 1070°С. Плотн. 4,787 г/см 3. С°p46,2 Дж/(моль. К). DH0 пл 54,6 кДж/моль, DH0 обр Ч 90,3 кДж/моль. 0,07m0, дырок m р = 0,4m0 (m0 - масса своб. Электрона). Подвижность электронов 5000 см 2/(В. С) при 300 К и 23500 см 2/(В. С) при 78 К, подвижность дырок 150 см 2/(В. С) при 300 К. Устойчив на воздухе до т-ры ~ 300°С. Взаимод. Со смесями к-т - HNO3 и HF, ..