Индия Арсенид

InAs, серые кристаллы с металлич. Блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,605886 нм, z =4, пространств. Группа F43m). Т. Пл. 943 °С. Плотн. 5,666 г/см 3, жидкого 5,850 г/см 3 (970 °С). С 0p49,32 Дж/(моль. К). DH0 пл 77,2 кДж/моль, DH0 обр -57,9 кДж/молъ. S0298 76 Дж/(моль. К). Температурный коэф. Линейного расширения 5,19.10-6 К -1. Теплопроводность 122 Вт/(м. К). Полупроводник. E 11,7. Ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К). Эффективная масса электронов проводимости т е =>0,22m0, дырок m р = 0,33m0 (m0 - масса своб. Электрона). Подвижность электронов 3,4.104 см 2/(В. С) при 300 К и 8,2.104 см 2/(В. С) при 77 К, подвижность дырок 460 см 2/(В. С) при 300 К и 690 см 2/(В. С) при 77 К. И. А. Устойчив на воздухе и в парах воды до ~ 300 °С.

Взаимод. С конц. Соляной и серной к-тами, водными р-рами сильных окислителей (напр., Н 2 О 2), смесями азотной, фтористоводородной и уксусной к-т, а также азотной и соляной к-т с Н 2 О 2. Эти смеси используют для травления пов-сти кристаллов И. А. С целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают И. А. В кварцевых ампулах взаимод. Расплава In с парами As, давление к-рых составляет 32,7 кПа при 800-900 °С. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В 2 О 3 в атмосфере инертного газа (Аr, Не, N2) при давлении 40-50 кПа (осн. Способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров As 32,7 кПа. Эпитаксиальные пленки получают. Осаждением из р-ра InAs в расплаве In при 650-700 °С.

Осаждением из газовой фазы. Пары AsCl3 или НС1 пропускают над расплавом In, образовавшиеся при этом хлориды In переносятся в зону р-ции и взаимод. С парами AsCl3 или AsH3 при 700 °С, давая InAs. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. Пучков In и As в вакууме 10 Па с послед. Осаждением на нагретую до 400-500 °С подложку). Для получения монокристаллов и пленок со св-вами полупроводников n- или р-типа используют добавки соотв. Те, Se, Sn или Zn, Cd, Mn. И. А. - полупроводникoвый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла. Лит. См. При ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский. .