Индия Фосфид

InP, серые кристаллы с металлич. Блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а= 0,586875 нм, z = 4, пространств. Группа F43m). Т. Пл. 1070°С. Плотн. 4,787 г/см 3. С°p46,2 Дж/(моль. К). DH0 пл 54,6 кДж/моль, DH0 обр Ч 90,3 кДж/моль. 0,07m0, дырок m р = 0,4m0 (m0 - масса своб. Электрона). Подвижность электронов 5000 см 2/(В. С) при 300 К и 23500 см 2/(В. С) при 78 К, подвижность дырок 150 см 2/(В. С) при 300 К. Устойчив на воздухе до т-ры ~ 300°С. Взаимод. Со смесями к-т - HNO3 и HF, HNO3 и соляной. Для травления пов-сти кристаллов И. Ф. С целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют р-ры Вr2 в метаноле, а также смеси H2SO4 с Н 2 О 2 и Н 2 О. Получают И. Ф. В вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимод. Нагретого до ~850°С расплава In с парами Р, давление к-рых составляет ~ 500 кПа.

Образующийся расплав InP подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В 2 О 3 в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) при давлении ~ 5000 кПа. Эпитаксиальные пленки получают. Кристаллизацией из р-ра InP в расплаве In при 700-750 °С. Осаждением из газовой фазы (пары РСl3 пропускают над расплавом In при ~ 800 °С, образовавшиеся при этом пары хлоридов In переносятся в зону осаждения и взаимод. С парами РСl3 или РН 3 при 650-700 °С, давая InP, кристаллизующийся на монокристаллич. Подложке). Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимод. Мол. Пучков In и Р на нагретой до 500-600 °С монокристаллич. Подложкe в высоковакуумной камере при давлении ~ 10-9 Па).

Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок n-типа в качестве легирующих примесей используют Те, Se, S, Sn, а p-типа - Zn Cd. Для придания монокристаллам полуизолирующих св-в их легируют Fe. И. Ф. - полупроводниковый материал для инжекц. Лазеров, светодиодов, СВЧ генераторов, транзисторов, фотоприемников. Лит. Марина Л. И., Нашельскяй А. Я., Колесник Л. И., Полупроводниковые фосфиды AIIIBV и твердые растворы на их основе, М., 1974, Мильвидский М. Г., Полупроводниковые материалы в современной электронике. М., 1986. Cм. Также лит. При ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский. .