Полупроводниковый Детектор

в ядерной физике, прибор для регистрации ионизирующих излучений (См. Ионизирующие излучения), основным элементом которого является кристалл полупроводника (См. Полупроводники). П. Д. Работает подобно ионизационной камере (См. Ионизационная камера) с тем отличием, что ионизация происходит не в газовом промежутке, а в толще кристалла. П. Д. Представляет собой Полупроводниковый диод, на который подано обратное (запирающее) напряжение (Полупроводниковый детектор 102 в). Слой полупроводника вблизи г..

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ - полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. Используют главным образом кристаллические полупроводниковые материалы (напр., легированные монокристаллы кремния или германия, химические соединения некоторых элементов III и V, II и VI групп периодической системы). Все большее значение приобретают твердые аморфные полупроводниковые вещества и органические полупроводники.. ..

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ - электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. Д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразован..

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД - полупроводниковый прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с p-n-переходом, контактом металл - полупроводник и др. Наиболее распространены электропреобразовательные полупроводниковые диоды. Служат для преобразования и генерирования электрических колебаний. Один из основных современных электронных приборов.. ..

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ лазер - лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.. ..

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР, полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. Представляет собой электронно-дырочный переход> на основе кристаллов Ge или Si. Величина> сигнала в полупроводниковом детекторе может быть значительно больше, чем в ионизационной камере. Высокая подвижность электронов и дырок обеспечивает малую (несколько нс) длительность сигнала.. ..

Полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. Представляет собой p-n-переход на основе кристаллов Si или Ge. Величина сигнала в полупроводниковом детекторе может быть значительно больше, чем в ионизационной камере. Высокая подвижность электронов и дырок обеспечивает малую (несколько нс) длительность сигнала с полупроводникового детектора. Применяются как спектрометры ?-квантов и тяжелых заряженных частиц.. ..

Полупроводниковый прибор для регистрации микрочастиц и измерения их энергии. Представляет собой р - n -переход на основе кристаллов Si или Ge. Величина сигнала в П. Д. Может быть значительно больше, чем в ионизационной камере. Высокая подвижность электронов и дырок обеспечивает малую (неск. Нc) длительность сигнала с П. Д. Применяются как спектрометры у-квантов и тяжёлых заряж. Частиц. ..

Двухэлектродный полупроводниковый прибор для регистрации и измерения энергии ионизирующих излучений. Обычно содержит р - n-переход, выполняется на основе кристаллов кремния, германия и др. При подаче на П. Д. Отрицат. (запирающего) напряжения (10 - 100 В) область пространств, заряда вблизи границы р - n-перехода "обедняется" носителями заряда. Регистрируемая частица, попадая в обедненный слой, образует неравновесные электронно-дырочные пары, к-рые под действием электрич. Поля разделяются. При эт..